Szia Zsolt,Van egy modulunk SiCMOSF

Szia Zsolt,
Van egy modulunk SiCMOSFETtel hajtáselektronikában több éve teszt alatt nem Rohm alkatrésszel építve.
A topológia hagyományos SiCMOS félhíd de párhuzamos SiC diódák nélkül. (A regenerative üzemben a body diode is használva van)
A vevő azt tapasztalta, hogy egy nagyobb működési ciklusszám tekintetében a body diode nyitófeszültség jelentősen megváltozik.
Az esetek nagy részében feszültség növekedés de kisebb arányban feszültség csökkenés is előfordul.

結果 (英語) 1:

Hi Ben,There is a number of years, our module SiCMOSFETtel hajtáselektronikában test not parts of Rohm.The traditional SiCMOS félhíd topology but without duplication of SiC diodes. (The regenerative plant of the body diode is used)The customer recognises that a greater respect of the operating cycles of the body diode nyitófeszültség changes significantly.Most of the cases, but less in proportion to the voltage increase tension decrease.

結果 (英語) 2:

Ps Hi,
There is a built-in drive electronics module SiCMOSFETtel for several years under Rohm not test parts.
The half bridge topology SiCMOS but without conventional SiC diodes in parallel. (Regenerative operation is also using the body diode)
The customer found that a greater number of cycles of operation with respect to the body diode forward voltage changes significantly.
In most cases, increase voltage slightly less voltage drop occurs.

結果 (英語) 3:

Hi Zsolt,
is SiCMOSFETtel hajtáselektronikában manage a number of years with Rohm's test are not integrated into traditional.
the topology SiCMOS half bridge but parallel SIC diodes. (The regenerative plant at the body diode is used)
A receiver had found that a greater operational sweeps the body diode of the signal is changed significantly.
In most cases but in a lower voltage increase voltage decrease in proportion also occur.