Szia Zsolt,Van egy modulunk SiCMOSF

Szia Zsolt,
Van egy modulunk SiCMOSFETtel hajtáselektronikában több éve teszt alatt nem Rohm alkatrésszel építve.
A topológia hagyományos SiCMOS félhíd de párhuzamos SiC diódák nélkül. (A regenerative üzemben a body diode is használva van)
A vevő azt tapasztalta, hogy egy nagyobb működési ciklusszám tekintetében a body diode nyitófeszültség jelentősen megváltozik.
Az esetek nagy részében feszültség növekedés de kisebb arányban feszültség csökkenés is előfordul.

結果 (日本語) 2:

PSこんにちは、
部品をテストするものではありませロームの下で数年間の組み込みのドライブエレクトロニクスモジュールSiCMOSFETtelあります。
ハーフブリッジトポロジSiCMOSが、並行して、従来のSiCダイオードなし。（回生動作もボディダイオードを使用して）
顧客はかなりのボディダイオードの順方向電圧の変化に対する操作のサイクルより多くが。ことを発見
多くの場合、わずかに低い電圧降下が発生する電圧を増加させます。

結果 (日本語) 3:

こんにちは Zsolt 、
は SiCMOSFETtel hajtáselektronikában でロームのテストの年の数の管理は従来のに統合されていません。
は、トポロジ SiCMOS ハーフブリッジが、パラレル SIC ダイオードがあります。 （ボディダイオードの再生プラントを使用して ) 、レシーバー
は、運用のスイープ信号のボディダイオードが大幅に変更されたことを発見しました。
ほとんどの場合が、割合、低い電圧の増加電圧減少にも発生する可能性があります。